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硅片制絨DI水電阻率要求


      硅片在經過一系列的加工程序之后需要進行清洗,清洗的目的是要消除吸附在硅片表面的各類污染物,并制做能夠減少表面太陽光反射的絨面結構(制絨),且清洗的潔凈程度直接影響著電池片的成品率和可靠率。

      制絨是制造晶硅電池的第一道工藝,又稱“表面織構化”。有效的絨面結構使得入射光在硅片表面多次反射和折 射,增加了光的吸收,降低了反射率,有助于提高電池的性能。經切片、研磨、倒角、拋光等多道工序加工成的硅片,其表面已吸附了各種雜質,如顆粒、金屬粒 子、硅粉粉塵及有機雜質,在進行擴散前需要進行清洗,消除各類污染物,且清洗的潔凈程度直接影響著電池片的成品率和可靠率。

      硅片在平移、提升運動中需要整 體考慮機械臂運行穩定性,同時在平穩運行的前提下盡可能的減少硅片暴露在空氣中的時間。為了防止平移/提升過程中由于水分揮 發在硅片表面產成水紋印,在制絨段的機械手臂上安裝了可根據工藝要求設置的噴淋裝置,當料籃從溶液中提出后,噴淋裝置啟動,DI水以霧狀方式噴射, 保證了硅片各個角度都可以噴淋到,尤其是硅片與料籃接觸的部分,經過噴淋后可有效避免出現“邊緣花片”的情況。那么硅片制絨工藝對于DI水電阻率具體要求通常是以上。


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